2024年1月29日，在美國舊金山舉行的西部光電展（Photonics West 2024）會議上，度亙核芯（DoGain）發(fā)布了915nm高功率高效率半導體激光方面的最新進展，首次實現(xiàn)了單管器件高達110W的功率輸出！

隨著工業(yè)加工市場的蓬勃發(fā)展，半導體激光芯片的功率、效率、亮度面臨著新的挑戰(zhàn)，激光芯片任何方面性能的提升，對激光應用都會起到巨大的推動作用。度亙核芯深耕激光芯片領域多年，研發(fā)量產(chǎn)了眾多的芯片系列，產(chǎn)品在業(yè)內(nèi)一直處于領先地位。度亙核芯通過對基礎物理、材料科學、芯片設計以及器件制備工藝的深入研究，優(yōu)化了芯片的內(nèi)量子效率、腔內(nèi)光學損耗以及腔面的高負載能力，成功實現(xiàn)了輸出功率和電光轉(zhuǎn)換效率的顯著提高。

新近研發(fā)的915nm 500um條寬單管雙結(jié)激光芯片，在具有極高的電光轉(zhuǎn)換效率的前提下，在室溫和55A連續(xù)工作條件下，突破性的實現(xiàn)了110W的高輸出功率，為業(yè)界領先水平！

圖1. 9xxnm雙結(jié)半導體激光芯片特性曲線（CW）

雙結(jié)激光芯片的技術突破是建立在已批量生產(chǎn)的單結(jié)9xx nm 芯片技術基礎之上，現(xiàn)已在業(yè)界廣受歡迎的915nm 320um條寬單管激光芯片，在室溫連續(xù)工作條件下可靠輸出45W功率，電光轉(zhuǎn)換效率超過65%；500um條寬單結(jié)芯片在連續(xù)工作條件下輸出功率達到74W！

圖2. 9xxnm單結(jié)半導體激光芯片特性曲線（CW）

此系列高功率、高效率新產(chǎn)品的研發(fā)成功充分展示了度亙堅持技術領先、不懈進取的企業(yè)精神，度亙也將持續(xù)聚焦核心光電領域，提升產(chǎn)品的性能和可靠性，持續(xù)不斷的為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。

關于度亙

度亙核芯以高端激光芯片的設計與制造為核心競爭力，聚焦光電產(chǎn)業(yè)鏈上游，擁有覆蓋化合物半導體激光器芯片設計、外延生長、器件工藝、芯片封裝、測試表征、可靠性驗證以及功能模塊等全套工程技術能力和量產(chǎn)制造能力，專注于高性能、高功率、高可靠性光電芯片及器件的設計、研發(fā)和制造，產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)加工、智能感知、光通訊、醫(yī)療美容和科學研究等領域，致力打造具有國際行業(yè)地位的產(chǎn)品研發(fā)中心和生產(chǎn)制造商。

文章來源：度亙核芯

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