近年來，碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其出色的物理和化學性質(zhì)，廣泛應用于低功耗、小型化、高壓、高頻的電子器件中。然而，SiC因其莫氏硬度高達9.5，使得其加工過程成為一項技術難題。傳統(tǒng)的切割工藝存在材料損耗和加工時間長等問題，制約了SiC的高效加工和廣泛應用。

在SiC襯底的傳統(tǒng)加工流程中，主要使用多線切割工藝。這一工藝在6英寸和8英寸的SiC晶錠切割過程中，單片材料的損失高達280～300μm。以6英寸SiC晶錠為例，切割時間長達130小時，8英寸SiC晶錠的切割時間更是達到180小時，這導致每顆SiC晶錠的材料損失率接近46%。這一高材料損耗率不僅增加了生產(chǎn)成本，還嚴重影響了生產(chǎn)效率。

為了解決傳統(tǒng)切割工藝中存在的問題，深圳平湖實驗室新技術研究部成功開發(fā)了SiC襯底的激光剝離技術。與多線切割工藝相比，激光剝離工藝具有顯著的優(yōu)勢，特別是在材料損耗和生產(chǎn)效率方面。

在使用激光剝離技術時，6英寸和8英寸SiC襯底的單片材料損耗可以控制在120μm以內(nèi)，明顯低于傳統(tǒng)切割工藝的280～300μm，出片率提高了40%。此外，激光剝離技術還使得單片成本降低了約22%。這一技術的實施不僅大幅降低了生產(chǎn)成本，還提高了生產(chǎn)效率，有助于加速8英寸SiC襯底的產(chǎn)業(yè)化進程。

深圳平湖實驗室的這一技術突破為SiC襯底產(chǎn)業(yè)帶來了輕資產(chǎn)、高效益的新模式。激光剝離技術的應用，不僅提升了SiC襯底的加工效率和降低了成本，還為其他硬質(zhì)材料的加工提供了新的思路和方法。這一技術的推廣有望加速SiC產(chǎn)業(yè)化的進程，并推動材料科學、激光技術等相關領域的進步與發(fā)展。

來源：深圳平湖實驗室

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